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AlN(氮化鋁)含量對(duì)復(fù)合材料體積電阻率和表面電阻率的影響?

更新時(shí)間:2026-01-16      點(diǎn)擊次數(shù):150

具體影響分析

1.電阻率保持高水平

當(dāng)AlN體積含量從0%增加至46%的高比例時(shí),復(fù)合材料的體積電阻率始終維持在101?Ω·m的數(shù)量級(jí),表面電阻率維持在101?Ω的數(shù)量級(jí)。

這兩個(gè)數(shù)值是典型高性能絕緣材料的標(biāo)志,表明復(fù)合材料在電氣上仍然是近乎完mei的絕緣體。

2.影響機(jī)制解釋(為什么變化不大?)

AlN自身的本征特性是關(guān)鍵:AlN不僅是一種高熱導(dǎo)率的陶瓷,其本身也具有很高的電阻率(通常>101?Ω·m)。因此,當(dāng)它作為填料分散在環(huán)氧樹脂基體中時(shí),它本身并不會(huì)引入導(dǎo)電通路或降低體系的整體絕緣性。

絕緣-絕緣"復(fù)合體系:該復(fù)合材料屬于高絕緣性基體(環(huán)氧樹脂)+高絕緣性填料(AlN"的復(fù)合模式。兩者的復(fù)合沒有改變體系的絕緣本質(zhì)。

填料的分散狀態(tài):在所述含量范圍內(nèi)(≤46%),AlN顆粒可能被絕緣的環(huán)氧樹脂基體有效包覆和隔離,沒有形成連續(xù)的、可供電子直接傳輸?shù)膶?dǎo)電網(wǎng)絡(luò)或隧道電流通路。

與介電性能變化的對(duì)比

體積/表面電阻率基本保持不變(保持高絕緣性)1.AlN自身電阻率高;2.未形成導(dǎo)電通路。

介電常數(shù)(εr)顯著升高后趨于平緩1.AlN的介電常數(shù)(~15)高于環(huán)氧樹脂;2.界面極化增強(qiáng)。

介電損耗(tanδ)下降AlN的介電損耗(0.0018)低于環(huán)氧樹脂,拉低了整體損耗。

重要區(qū)分:

電阻率:反映材料阻止電流通過(導(dǎo)電性)的能力,主要由材料中的可遷移自由電荷數(shù)量決定。AlN不提供自由電荷,故不影響電阻率。

介電常數(shù):反映材料在電場下存儲(chǔ)電荷(極化)的能力,與束縛電荷在電場中的位移有關(guān)。高介電常數(shù)的AlN和其引入的界面都能增強(qiáng)極化,故使介電常數(shù)升高。


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